Samsung comienza la producción en masa de la primera 2ª generación DRAM de la clase 10Nm, 16GB LPDDR4X Mobile

Samsung Electronics, el líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado a producir en masa la primera segunda generación de la industria de 10 nanómetros de clase * (1Y-nm), LPDDR4X (baja potencia, doble velocidad de datos, 4x) DRAM para mejorar la eficiencia y baje el dren de la batería de los smartphones superiores de hoy y de otras aplicaciones móviles.

Samsung para ampliar su alineación de DRAM en más de 70% basado en el proceso de 1Y-nm. El paquete ultra-fino de 8GB permite un diseño más delgado para los dispositivos móviles del buque insignia Next-Gen.

En comparación con los chips de memoria DRAM móvil más utilizados en los actuales dispositivos móviles emblemáticos (1x-nm 16GB LPDDR4X), la segunda generación de LPDDR4X DRAM ofrece hasta un 10 por ciento de reducción de potencia, manteniendo la misma velocidad de datos de 4.266 megabits por segundo (MB/s).

“El advenimiento de la DRAM móvil de clase 10Nm permitirá soluciones significativamente mejoradas para los dispositivos móviles emblemáticos de próxima generación que primero deberían llegar al mercado a finales de este año o la primera parte de 2019”, dijo SEWON Chun, vicepresidente sénior de ventas de memoria y Marketing en Samsung Electronics. “continuaremos aumentando nuestra alineación de DRAM Premium para liderar el segmento de memoria de alto rendimiento, alta capacidad y bajo consumo para satisfacer la demanda del mercado y fortalecer nuestra competitividad empresarial”.

Samsung estará expandiendo su línea de DRAM Premium que se basa en el proceso de 1Y-nm en más de 70 por ciento. Esta iniciativa comenzó con la producción masiva de la primera 10Nm-Class 8GB DDR4 Server DRAM el pasado mes de noviembre y continúa con este chip de memoria móvil de 16 GB LPDDR4X sólo ocho meses después.

Samsung dijo que ha creado un paquete de DRAM LPDDR4X móvil de 8GB mediante la combinación de cuatro de la clase 10Nm de 16 GB LPDDR4X chips de DRAM (16GB = 2GB). Este paquete de cuatro canales puede realizar una tasa de datos de 34.1 GB por segundo y su espesor se ha reducido más del 20 por ciento del paquete de 1 ª generación, lo que permite a los OEM diseñar dispositivos móviles más delgados y más eficaces.

Con sus avances LPDDR4X, Samsung va a expandir rápidamente su parte de DRAM móvil en el mercado proporcionando una variedad de productos de alta capacidad, incluyendo 4GB, 6GB y 8GB LPDDR4X paquetes.

En línea con su roll-out de 10Nm-Class LPDDR4X, Samsung ha comenzado a operar una nueva línea de producción de DRAM en Pyeongtaek, Corea, para asegurar un suministro estable de todos los chips de DRAM móvil, en respuesta a la creciente demanda.

* 10Nm-Class denota un nodo de tecnología de proceso en algún lugar entre 10 y 19 nanómetros.